需要对切割出来的面进行一个加氢来去除他的悬挂键以及平衡他的电荷

不需要在界面之间加真空层，但是需要在layer之间的初始距离做调整，也就是改变初始距离算静态能量选择最低能量的gap

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2楼: Originally posted by zhangfrank at 2017-06-09 12:38:17
需要对切割出来的面进行一个加氢来去除他的悬挂键以及平衡他的电荷

不需要在界面之间加真空层，但是需要在layer之间的初始距离做调整，也就是改变初始距离算静态能量选择最低能量的gap

您好，我想问一下。首先改变初始距离是用layer details 里面的vacuum来调吗。
其次=。=那个切出来的面，我点adjust hydrogen好像没什么反应==。（这里其实挺疑惑地，因为切出来的是晶面，他还是有属于他的周期性所以旁边的悬挂键好像去除不掉，所以一直在想那个要不要去除）
另外就是build surface  和crystal 有什么区别吗。
最后就是我结构优化时所用的参数和计算性质所用的参数可以不一样吗。谢谢你了-0-

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3楼: Originally posted by jzjy1994 at 2017-06-09 15:04:33
您好，我想问一下。首先改变初始距离是用layer details 里面的vacuum来调吗。
其次=。=那个切出来的面，我点adjust hydrogen好像没什么反应==。（这里其实挺疑惑地，因为切出来的是晶面，他还是有属于他的周期性所 ...

"首先改变初始距离是用layer details 里面的vacuum来调吗。"
》》》不是，是你选中一个表面，自己move

加H是自己手动加，我没有用过adjust H. 我用的是build-add atom输入原子坐标

build surface只是一个表面（只是2d的一个模型，没有真空）。crystal是一个晶体（具有3d的空间对称性了。另外这个晶体可以有真空可以没有真空）

可以不一样 自己酌情选择
，

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4楼: Originally posted by zhangfrank at 2017-06-09 15:16:00
"首先改变初始距离是用layer details 里面的vacuum来调吗。"
》》》不是，是你选中一个表面，自己move

加H是自己手动加，我没有用过adjust H. 我用的是build-add atom输入原子坐标

build surface ...

谢谢你了