vasp对体系加压方式
大神们来帮看看,我知道的有:
1.在INCAR中开启加压项P;
2.据说可以改变晶格常数来算加的压强;如,晶格常数若为10A,变化为9A,用某个公式计算此时体系受到的压强。(这个我不懂,只是听说!)
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1.在INCAR中开启加压项P;
2.据说可以改变晶格常数来算加的压强;如,晶格常数若为10A,变化为9A,用某个公式计算此时体系受到的压强。(这个我不懂,只是听说!)
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去看统计力学,分子模拟那个上面有
statistical mechanics molecular simulation
两种方法都是可以的
两种方法都可以:
第一在INCAR里设置 压力参数 PSTRESS, 注意这个是静水压。
第二种就是 在POSCAR里直接调整晶格常数,第二种方法较之于第一种方法的优点在于可以在某个方向调整应力。
谢谢你的回复。但是我想知道的是,第二种方法通过直接调整晶格常数(如把10A改为9A),此时去计算外界加了多少压强使得晶格常数从10A变为了9A。这个问题还请大神帮解决下
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你可以根据PV=nRt这个公式去大致地估算一下。
另外:用第二种方法时,不常考虑具体压力值,而研究的是应变比例, 比如1%的应变,2%的应变等等