计算模板剂在不同晶面上的吸附能差异。

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2楼: Originally posted by clickme at 2017-06-18 18:06:41
计算模板剂在不同晶面上的吸附能差异。

谢谢您的回复。我确实也是这么做了，但是老觉得写在文章里，这个过程跟实验数据分析是反着的。您那边有符合得比较好的文献吗？我可能关键词搜错了并没有找到关于模板剂诱导晶体生长的文献，只是找到了一些与我的晶体相同的，不同高分子吸附的文献。很期待您的指导

如果可以的话做一下频率分析，得到零点能和室温下的热矫正，可能你的结论就能正过来了。

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4楼: Originally posted by clickme at 2017-06-19 12:11:30
如果可以的话做一下频率分析，得到零点能和室温下的热矫正，可能你的结论就能正过来了。

有这两个能量了然后怎样分析呢？您能不能详细地讲讲，例如我现在算出来各晶面吸附能的大小是E(001)>E(100)>E(111)。还有用哪个模块计算可以得到高分子在金属氧化物表面吸附能并且能做频率分析？先谢谢您的耐心指导

你结构优化得到的能量只是绝对零度下的电子能而已，还应该加上零点震动能和键的伸缩摇摆振动在室温下蕴含的能量，这些都加在一起再比较吸附能，就有可能把你之前算的能量顺序完全推翻。你只要在计算的时候进行频率分析计算就能得到这两个值。

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6楼: Originally posted by clickme at 2017-06-20 14:27:05
你结构优化得到的能量只是绝对零度下的电子能而已，还应该加上零点震动能和键的伸缩摇摆振动在室温下蕴含的能量，这些都加在一起再比较吸附能，就有可能把你之前算的能量顺序完全推翻。你只要在计算的时候进行频率分 ...

谢谢您的回答，我用的是MS中的Discover模块计算的，在Dynamics的过程中已经设置了温度（为实验的反应温度），并且根据吸附能公式“吸附能=体系总能量-（高分子能量+晶体表面能量）”计算得到了吸附能，这种情况是否还需要加上零点振动能和键的能量？
另外，根据我目前得到的计算结果，在（001）的吸附能最大，正好符合我的实验数据中晶体沿[001]方向生长的结果。我之前说的计算过程与实验过程是反的是指，实验过程中是晶体与高分子发生晶格匹配，然后开始沿[001]方向生长，而计算过程是让高分子去吸附晶面，我是觉得这两个过程是反的，并不是说计算与实验结果相反，您能帮我解释一下这边的疑惑吗？期待您的指导。

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7楼: Originally posted by CMA17 at 2017-06-20 16:27:16
谢谢您的回答，我用的是MS中的Discover模块计算的，在Dynamics的过程中已经设置了温度（为实验的反应温度），并且根据吸附能公式“吸附能=体系总能量-（高分子能量+晶体表面能量）”计算得到了吸附能，这种情况是否 ...

好的，我明白你的意思了。
1. 我之前说的零点能校正是对应与量子化学计算方法需要考虑的问题，你用MD的话就可以不用考虑了。
2. 我用的是MS2017， 我看了下Forcite模块（新版中Discover与Forcite合并和），没有声字或者频率分析的选项，所有温度校正也不好再加入了。
3. 你是否用Dynamics后的能量相减得到吸附能？如果是这样的话有不妥，因为此时的结构还有温度热涨落导致的形变能。应该把dynamics的结构再做一此结构优化。
4. 我对晶体生长不大熟悉。如果高分子与晶体某个面结合力强，就能让这个面在生长过程中保持的久一些，最后在表征的时候这个面就多，所以看起来像是沿着这个面生长？我猜的
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