关于空穴浓度和电导率的关系
有段文献是这样的“the premier role of k doping is to monovalently substitute Pb in PbTe/PbS,which increases the hole concentration and enhances the electrical conductivity”,这里我有几个问题不清楚了
1. K取代Pb 为什么能增加空穴浓度？
2. 空穴浓度加了，电导率就增加了，为啥？ 本人没学过固体物理，不知道这之间的关系，求各位解释下！谢谢
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京公网安备 11010802022153号
是不是k外层电子少，外层电子少的替换多的，就相当于增加空穴。反之，就是增加电子浓度。
第二个，空穴浓度增加，电导率增加，这个是不是从价带顶和导带底的跃迁分析，想知道详细的，可能需要去分析公式了，简单的想就是空穴浓度增大了，那么跃迁到这里的电子的几率就更大，那么相应的电导率就大了。
你把这个文献发我看看
因为K的价电子比Pb的少，K掺入PbTe后替换Pb,为保持材料的电中性会Capture周围的电子，使得周围电子局域在K周围不能导电，这样参与导电的空穴就增多了，电导率提高。物理类似于往单晶硅中掺入三族的B，Al，Ga，详见固体物理半导体的导电性方面的内容，
咋个厂子，同求关于热导率与空穴的关系