请教一下,在网上看到用vasp做差分电荷密度有两种方法,分别如图所示。请问这两种方法有什么区别,或者说这两种方法分别适用于什么体系? 返回小木虫查看更多
一是差分电荷密度,二是电荷密度差,肯定有区别
一主要用于表面吸附,界面复合,等,二主要用于掺杂之类的
要看电子转移的话第一种比较好
之前帖子里的讨论 http://muchong.com/t-2129228-1 对应楼主所发的,方法一可以称为 Difference charge density,相关内容可以看看异质结(Heterostructure)有关的文章。 方法二可称为 Deformation charge density,看到相关做原子成键分析的比较多。 欢迎交流,
一是差分电荷密度,二是电荷密度差,肯定有区别
一主要用于表面吸附,界面复合,等,二主要用于掺杂之类的
要看电子转移的话第一种比较好
之前帖子里的讨论 http://muchong.com/t-2129228-1
对应楼主所发的,方法一可以称为 Difference charge density,相关内容可以看看异质结(Heterostructure)有关的文章。
方法二可称为 Deformation charge density,看到相关做原子成键分析的比较多。
欢迎交流,