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xiaomao_16银虫 (小有名气)
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带电缺陷形成能的计算已有1人参与
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如题，看了论坛里大家推荐的J. Appl. Phys. 95, 3851 (2004)这篇文章，如图1-2，但是还是有些问题还是没太搞明白，请教一下大家。（我算的是MgO的表面体系，就代入表面体系的能量了） 1. 我在另一篇PRL文章里看到了图3所示的计算形成能的方法，大体形式类似，但是后面的电荷项有点差别。我可以认为是他把图1里的Ev取为0了吗？（因为文章里作“形成能-E_F”图时横轴是E_F=0~6eV），可以直接这样取吗，还是说Ev应该取相对于真空能级的值。 2. μ(O)的问题，图3里给出了这篇文章算μ(O)的办法，还有看到直接用氧气分子能量的一半的。这个哪种算法相对合理呢？有前辈说氧的化学势不该看做定值，可是这样的话一个形成能里，μ(O)和E_F两个变量了，还怎么描述呢？ 3. 两种算法都有一个Δ项，前者是电势的修正，后者是振动能之类的，但文章里都没细说这个东西怎么算，这个影响大吗，可以忽略吗？看论坛里大家用ΔV的比较多，可以指点一下怎么得到这个修正项吗？看了文章还是不懂怎么用VASP实操。 大概就是以上这些问题，请各路大神指教！！！  形成能1.jpg  形成能2.jpg  形成能3.jpg |
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 缺陷计算 |
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【答案】应助回帖
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1.想要完全搞明白这些问题，你还得花一些时间，我这里不方便讲得那么细 1. 我在另一篇PRL文章里看到了图3所示的计算形成能的方法，大体形式类似，但是后面的电荷项有点差别。我可以认为是他把图1里的Ev取为0了吗？（因为文章里作“形成能-E_F”图时横轴是E_F=0~6eV），可以直接这样取吗，还是说Ev应该取相对于真空能级的值。 Ev 取相对于真空能级的值 2. μ(O)的问题，图3里给出了这篇文章算μ(O)的办法，还有看到直接用氧气分子能量的一半的。这个哪种算法相对合理呢？有前辈说氧的化学势不该看做定值，可是这样的话一个形成能里，μ(O)和E_F两个变量了，还怎么描述呢？ μ(O)应该取MgO中O的化学式，这个值μ(O)我们不太确定。但是它有两个极限值。极大值是氧气分子能量的一半，也就是通常说的O-rich condiction；极小值是当μ(Mg)取极大值时对应的μ(O)，也就是通常所说的O-poor condiction。你画图可以E_F为变量，而同时画两幅图，O-rich condiction和O-poor condiction，真正的formation energy只可能在这两者之间。 3. 两种算法都有一个Δ项，前者是电势的修正，后者是振动能之类的，但文章里都没细说这个东西怎么算，这个影响大吗，可以忽略吗？看论坛里大家用ΔV的比较多，可以指点一下怎么得到这个修正项吗？ 这一项有时候还挺大的（～2 eV），一般不能忽略。 看了文章还是不懂怎么用VASP实操。 如果只想得到计算值，pycdt可以帮你搞定一切！PyCDT: A Python toolkit for modeling point defects in semiconductors and insulators |
2楼2020-03-31 09:14:33
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