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[交流]
红外光谱法在硅中氧碳含量测定上的应用
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单晶硅材料可以用于制造太阳能电池、半导体器件等，由于其应用领域的特殊性要求其纯度达到99.9999% 甚至更高。在单晶硅生产过程中由原料及方法等因素难以避免的引入了碳、氧等杂质，直接影响了单晶硅的性能。因而需对单晶硅材料中的氧碳含量进行控制。 一、硅单晶中氧、碳的分布情况 1、氧： 在硅单晶中，以间隙氧的形式存在；硅单晶中的氧，由于分凝作用在晶体中呈条纹状分布，头部高，尾部低。 直拉单晶硅中氧的含量：4×1017～3×1018原子/cm3； 多晶硅中氧的含量：1016～1017原子/cm3； 间隙氧对硅单晶结构和性能产生的影响： 1）可以增加硅片的机械强度，避免弯曲和翘曲等变形。 2）形成热施主，会改变器件的电阻率和反向击穿电压，形成堆垛层错和漩涡缺陷。 3）形成氧沉淀，产生位错、堆垛层错等缺陷。 2、碳： 在硅单晶中，以间隙氧的形式存在；硅单晶中的碳，由于分凝作用在晶体中呈条纹状分布，头部低，尾部高。 单晶硅中碳的含量：1016～1017原子/cm3； 碳对硅单晶的影响： 1）碳以替位形式存在，使晶格发生畸变，是硅的生长条纹可能与碳的分布有关。 2）碳在硅单晶中成为杂质氧的成核点，促进氧的沉淀。 3）导致晶体中堆垛层错、漩涡缺陷等的产生。降低器件的反向电压，增大漏电电流，降低器件的性能。 详情点击查看 |
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