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zhangfrank金虫 (正式写手)
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[求助]
【求助】如何从计算角度确定某一个缺陷是施主/受主陷阱(donor/acceptor trap）?已有3人参与
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如题：如何从计算角度确定某一个缺陷是施主/受主陷阱(donor/acceptor trap）? 【注意】：是从计算角度，分析计算的数据，而不是结合实验的经验来帮助判断。 比如从能带或者态密度图中看到半导体的禁带中有一个杂质能级，我们如何判断这个杂质能级是施主/受主陷阱(donor/acceptor trap）呢？ 很不严谨的理解，donor trap是在靠近导带底，acceptor trap是在靠近价带顶的位置，但是这是很不严谨的。donor trap也完全可以在靠近价带顶，acceptor trap也完全可以在靠近导带底的位置。 画transition level vs Fermi-level的图可以帮助判断donor/acceptor吗？或者算bader charge？能不能有做过这个方面分析的前辈给一些清晰的指点。 谢谢 |
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 带电掺杂体系形成能 | 缺陷计算 |
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