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zhangfrank金虫 (正式写手)
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[求助]
关于体材料计算（形成能vs费米能级的图）的几个疑问，向大家请教与交流已有2人参与
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1. LVTOT=TRUE除了对slab体系，能用于bulk体系么 2. 偶极矩修正IDIPOL=3在算bulk defect 的时候需要么？ 3.Charged surface/interface可行么？即是否可以vasp计算带电的表面界面slab？以及是否可以画表面、界面体系的形成能vs费米能级的图 4. 假设某材料的PBE下bandgap是2eV，HSE修正后是3ev；pbe下的在CBM以下0.5eV有一个gap state，hse修正后这个gap state的位置（从dos、band计算的gap state）是0.5*3/2这样的线性modification吗？ 5. 假设某材料的PBE下bandgap是2eV，HSE修正后是3ev；pbe下的在CBM以下0.5eV有一个(0/-)的transition level，hse修正后这个(0/-) transition level的位置是0.5*3/2这样的线性modification吗？ 6. 上面4和5的结合：块体点缺陷分析计算出来的transition level（跃迁能级）和dos里面的trap level (缺陷能级或者陷阱能级）有任何关系么？ 7. 算缺陷形成能公式中有一个delta V修正项，计算中怎么具体确定这个数值 8.关于如何把计算的(理想，未参杂)半导体的CBM VBM与vacuum level对齐, 我能想到有俩方法： (1). 算完自洽步，OUTCAR里面就有vacuum level的数值，同时可以在outcar里面读出来VBM CBM的数值（Gamma点处最高填满的band和最低未填满的band），后者减去前者就是VBM、CBM相对真空能级（把真空能级设为0）的位置； (2).用功函数对齐，功函数是真空能级与费米能级的差，而可以在outcar里面读出来费米能级、VBM、CBM三者的数值，用功函数做校准，就可以得到真空能级在0eV处的VBM CBM位置。 请问这俩方法有什么区别么？还是说哪一种都可以~ 9. E(formation energy) vs Fermi level这个图的横轴和纵轴怎么理解 10. Band edge (比如CBM)到（q/q+1）的能量差就是对应的辐射发光的波长么？好像有人讨论说(q/q+1)的transition level是thermodynamic transition level，跟optical transition level是不同的。但是依然看到有很多人只是算了（q/q+1）的位置然后就开始讨论辐射发光了，是否合理？ |
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 VASP | 带电掺杂体系形成能 | VASP | 缺陷计算 |
| 半导体薄膜制备及表征 | 半导体 |
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dft_family
禁虫 (小有名气)
感谢参与，应助指数 +1
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2楼2018-03-27 13:56:57
dft_family
禁虫 (小有名气)
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5楼2018-03-29 10:48:02
dft_family
禁虫 (小有名气)
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6楼2018-03-29 10:49:55
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