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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Vasp&MedeA » 缺陷形成能计算
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蔡山万大鹏

铜虫 (小有名气)

[求助] 缺陷形成能计算已有4人参与

重复文献数据练手，计算GaN中Ga单空位形成能。   Ga空位可能有0，-1，-2，-3等价态。 利用公式1（如下计算形成能）。
      
      INCAR如下图所示，此为结构优化步骤。 利用NELECT改变电子数量 ，IDIPOL、EPSILON修正。K取G点1 1 1。POTCAR考虑了d层电子。

      错误描述：
            （1）带电缺陷态，若去掉蓝色的三行命令（NELECT ，IDIPOL ， EPSILON），计算的形成能为负值，但是形成能之间相差过大（5~10eV左右），明显不正确；
            （2）若加上蓝色三行命令，形成能为正值。

      不知道是什么原因导致，是结构优化过程不合理？还是修正命令出错？       若能指教，不胜感激。

缺陷形成能计算
11.jpg


缺陷形成能计算-1
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缺陷形成能计算-2
2.jpg


缺陷形成能计算-3
3.jpg
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人丑多读书
1楼2020-03-04 15:35:31
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蔡山万大鹏

铜虫 (小有名气)
引用回帖:
2楼: Originally posted by 漫天飘雪 at 2020-03-04 18:07:05
不太懂缺陷，帮顶。你可以试试一些软件
PyCDT: A Python toolkit for modeling point defects in semiconductors and insulators
https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0010465518300079...

课题是这，换软不是很现实

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人丑多读书
3楼2020-03-04 18:26:33
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蔡山万大鹏

铜虫 (小有名气)
引用回帖:
5楼: Originally posted by jizw0704 at 2020-03-09 17:34:24
有没有double check 你的NELECT设置是否合理？简单说明，你是如何设置的？

NELECT是先从有一个Ga空位体系OUTCAR里面提取的。如果多一个电子＋1   ，少则-1

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人丑多读书
6楼2020-03-09 20:42:02
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蔡山万大鹏

铜虫 (小有名气)
引用回帖:
7楼: Originally posted by jizw0704 at 2020-03-11 16:46:34
嗯，确实是这样设置的，那么设置上应该没有错，就要注意计算有没有出错了，使用HSE06计算的吗？...

不好意思，才看到你的回复。   我用的GGA没有用HSE
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人丑多读书
10楼2020-03-24 11:25:10
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蔡山万大鹏

铜虫 (小有名气)
引用回帖:
8楼: Originally posted by shadowlisong at 2020-03-11 20:38:16
你计算过后的带电体系形成能有修正吗？

怎么修正啊 ，不是很会啊，能不能指导一下
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人丑多读书
11楼2020-03-24 11:25:58
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