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xiaomao_16银虫 (小有名气)
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CASTEP计算带电空位缺陷形成能的问题已有1人参与
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如题，从文献中看到有计算公式如下：E=E(defect)-E(perfect)+μ(O)+qEf+ΔFvib(T)；其中μ(O)=E(O)-0.5E(bind_O2)+Δμ(O)；有几个问题请教一下大家： 1. Ef费米能级一般不是取为VBM=零点了吗，那这一项是要考虑为零吗，最后一项说是缺陷形成过程中的振动能，也不知道怎么算，文章里下文完全没提。。可以忽略吗？ 2. E(O2)文章取的实验值没啥说的，E(O)说是电子结构计算得来的，在CASTEP里就是构建一个大立方，放一个氧原子算能量吗？ 3. Δμ(O)怎么确定，文章说Δμ(O)=0定义富氧极限，但氧空位产生不该是缺氧情况吗？ 4. 考虑到带电情况还有修正公式：Ecorr=E(isolated)-E(periodic)+qΔV，最后一项是对齐用的。有个问题是等式右侧不就是我们要求的数吗，那这个修正的意义何在？在CASTEP里计算荷电情况的时候是直接在计算的时候Charge一栏填一个电荷数就ok吗？ |
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 缺陷计算 | 计算模拟 | 带电体系形成能 |
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