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[交流]
蚀刻液成分分析及综合报告
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半导体装置、TFT-LED、OLED等微电路是通过在基板上形成的铝、铝合金、铜及铜合金等导电性金属膜或二氧化硅膜、氮化硅薄膜等绝缘膜上，均匀地涂抹光刻胶，然后通过刻有图案的薄膜，进行光照后成像，使所需的图案光刻胶成像，采用干式蚀刻或湿式蚀刻，在光刻胶下部的金属膜或绝缘膜上显示图案后，剥离去除不需要的光刻胶等一系列的光刻工程而完成的。 大型显示器的栅极及数据金属配线所使用的铜合金阻抗低且没有环境问题，铜存在与玻璃基板及绝缘膜的粘附性较低，易扩散为氧化硅膜等问题，所以通常使用钛、钼等作为下部薄膜金属。 但是，现有蚀刻液在蚀刻过程中，蚀刻的均一性很难把控，导致蚀刻锥角、蚀刻偏差及蚀刻直线度等特性失去，影响产品质量。 蚀刻液的组成：酸性蚀刻液、碱性蚀刻液、其他 某酸性蚀刻液的分析案例 样品的整体测试（点击查看） IR测试： 1400cm-1左右的出峰是N-H键的出峰，1200cm-1附件的出峰，可能是氟化物的出峰。 XRF测试： 烘干样测试，采用压片法测试 主要是含磷化合物、含氮化合物并含有少量的含硫，以及含碳的助剂 NMR测试： 主要有机物是醇胺，蚀刻抑制剂等物质 MS测试： 通过IR、NMR确定含有三乙醇胺，质谱正离子模式确定是三乙醇胺，同时有咪唑的出峰 过IR、NMR、XRF确定含有有机酸类，质谱负离子模式确定是苹果酸 逐步分离的结果 分离各组分FT-IR分析： 逐级分离以及旋蒸，检出三乙醇胺、硫脲等物质 三氯甲烷与乙酸乙酯提取物检出三乙醇胺和硫脲 分离洗剩部分检出氟化氢铵和磷酸二氢铵类物质 采用多种手段对成分进行定量： |
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