| 查看: 10798 | 回复: 16 | ||||||||
| 【悬赏金币】回答本帖问题，作者zhangfrank将赠送您 80 个金币 | ||||||||
| 当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖 | ||||||||
zhangfrank金虫 (正式写手)
|
[求助]
关于体材料计算（形成能vs费米能级的图）的几个疑问，向大家请教与交流已有2人参与
|
|||||||
|
1. LVTOT=TRUE除了对slab体系，能用于bulk体系么 2. 偶极矩修正IDIPOL=3在算bulk defect 的时候需要么？ 3.Charged surface/interface可行么？即是否可以vasp计算带电的表面界面slab？以及是否可以画表面、界面体系的形成能vs费米能级的图 4. 假设某材料的PBE下bandgap是2eV，HSE修正后是3ev；pbe下的在CBM以下0.5eV有一个gap state，hse修正后这个gap state的位置（从dos、band计算的gap state）是0.5*3/2这样的线性modification吗？ 5. 假设某材料的PBE下bandgap是2eV，HSE修正后是3ev；pbe下的在CBM以下0.5eV有一个(0/-)的transition level，hse修正后这个(0/-) transition level的位置是0.5*3/2这样的线性modification吗？ 6. 上面4和5的结合：块体点缺陷分析计算出来的transition level（跃迁能级）和dos里面的trap level (缺陷能级或者陷阱能级）有任何关系么？ 7. 算缺陷形成能公式中有一个delta V修正项，计算中怎么具体确定这个数值 8.关于如何把计算的(理想，未参杂)半导体的CBM VBM与vacuum level对齐, 我能想到有俩方法： (1). 算完自洽步，OUTCAR里面就有vacuum level的数值，同时可以在outcar里面读出来VBM CBM的数值（Gamma点处最高填满的band和最低未填满的band），后者减去前者就是VBM、CBM相对真空能级（把真空能级设为0）的位置； (2).用功函数对齐，功函数是真空能级与费米能级的差，而可以在outcar里面读出来费米能级、VBM、CBM三者的数值，用功函数做校准，就可以得到真空能级在0eV处的VBM CBM位置。 请问这俩方法有什么区别么？还是说哪一种都可以~ 9. E(formation energy) vs Fermi level这个图的横轴和纵轴怎么理解 10. Band edge (比如CBM)到（q/q+1）的能量差就是对应的辐射发光的波长么？好像有人讨论说(q/q+1)的transition level是thermodynamic transition level，跟optical transition level是不同的。但是依然看到有很多人只是算了（q/q+1）的位置然后就开始讨论辐射发光了，是否合理？ |
回复此楼» 收录本帖的淘贴专辑推荐
 VASP | 带电掺杂体系形成能 | VASP | 缺陷计算 |
| 半导体薄膜制备及表征 | 半导体 |
» 猜你喜欢
每天学术时间不能保证，能保证的只有：
已经有9人回复
-
化学B02口青基 代表作都是什么水平的？向大佬求助
已经有7人回复
-
研0二导师分到新来的博士后靠谱吗
已经有7人回复
-
研究生在毕业答辩时挂了，遗憾
已经有13人回复
-
24年博士招生
已经有10人回复
-
2024博士招生
已经有4人回复
-
各位同学能否分享一下实验室的学生劳务发放标准呀？
已经有18人回复
-
每到中夜，情难自抑
已经有56人回复
-
论大家对6070后普通教授导师的看法
已经有10人回复
-
九部门发文：不得将专利授权数量作为人才评价、项目评审、职称评定、高校评价等的条件
已经有19人回复
» 本主题相关商家推荐: (我也要在这里推广)
tsglss
铁杆木虫 (著名写手)
- 应助: 41 (小学生)
- 金币: 6014.2
- 红花: 19
- 帖子: 1875
- 在线: 939.7小时
- 虫号: 321641
- 注册: 2007-03-11
- 性别: GG
- 专业: 凝聚态物性 II ：电子结构
14楼2018-03-30 05:55:22
10