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¡ï ¡ï ¡ï ¡ï ¡ï ¡ï ¡ï ¡ï ¡ï ¡ï ¡ï ¡ï ¡ï ¡ï ¡ï ¡ï ¡ï ¡ï ¡ï ¡ï ¸Ðл²ÎÓ룬ӦÖúÖ¸Êý +1 zhangfrank: ½ð±Ò+20, ¡ï¡ï¡ïºÜÓаïÖú 2018-03-29 00:20:12 ÂþÌìƮѩ: »ØÌûÖö¥ 2018-03-29 08:32:01
ºÃØ?ÐÄ£¬Ò»¿Úšâ†–Ê®‚€†–¶A..............
1. LVTOT=TRUE³ýÁ˶ÔslabÌåϵ£¬ÄÜÓÃÓÚbulkÌåϵô
> LVTOT µÄÓÃ;ÊÇÃüÁî VASP Ý”³ö LOCPOT ß@‚€™n°¸ (potential)
¸úÄãÓ‹ËãʲüNówϵÊÇŸoêPßBÐÔµÄ
¾ÍËãÄãÖ»ÊÇËã†ÎÒ»îwÔ×Ó£¬Ò»˜ÓÒ²¿ÉÒÔ½o LVTOT£¬È»ááµÃµ½ local potential
2. ż¼«¾ØÐÞÕýIDIPOL=3ÔÚËãbulk defect µÄʱºòÐèҪô£¿
> ֻҪϵ½yÓЮaÉú dipole£¬¾Í¿ÉÒÔÓÃß@‚€ dipole correction
ËùÒÔÄ㑪ԓҪ˼¿¼µÄÊÇ£¬bulk defect ÊÇ·ñ•þ®aÉú dipole
3.Charged surface/interface¿ÉÐÐô£¿¼´ÊÇ·ñ¿ÉÒÔvasp¼ÆËã´øµçµÄ±íÃæ½çÃæslab£¿ÒÔ¼°ÊÇ·ñ¿ÉÒÔ»±íÃæ¡¢½çÃæÌåϵµÄÐγÉÄÜvs·ÑÃ×Äܼ¶µÄͼ
> ¿´²»¶®ß@î}
4. ¼ÙÉèij²ÄÁϵÄPBEÏÂbandgapÊÇ2eV£¬HSEÐÞÕýºóÊÇ3ev£»pbeϵÄÔÚCBMÒÔÏÂ0.5eVÓÐÒ»¸ögap state£¬hseÐÞÕýºóÕâ¸ögap stateµÄλÖ㨴Ódos¡¢band¼ÆËãµÄgap state£©ÊÇ0.5*3/2ÕâÑùµÄÏßÐÔmodificationÂð£¿
> ²»ÊÇ
HSE ÐÞÕý²»ÊÇÖ»†Î¼ƒŒ¦ empty state ÐÞÕý
¶øÊÇ empty & filled states ¶¼ÓÐÐÞÕýµ½
ËùÒÔ²»ÄÜÓþ€ÐÔÈ¥îAœy
5. ¼ÙÉèij²ÄÁϵÄPBEÏÂbandgapÊÇ2eV£¬HSEÐÞÕýºóÊÇ3ev£»pbeϵÄÔÚCBMÒÔÏÂ0.5eVÓÐÒ»¸ö(0/-)µÄtransition level£¬hseÐÞÕýºóÕâ¸ö(0/-) transition levelµÄλÖÃÊÇ0.5*3/2ÕâÑùµÄÏßÐÔmodificationÂð£¿
> ͬÉÏ£¬²»ÊǾ€ÐÔ
6. ÉÏÃæ4ºÍ5µÄ½áºÏ£º¿éÌåµãȱÏÝ·ÖÎö¼ÆËã³öÀ´µÄtransition level£¨Ô¾Ç¨Äܼ¶£©ºÍdosÀïÃæµÄtrap level (ȱÏÝÄܼ¶»òÕßÏÝÚåÄܼ¶£©ÓÐÈκιØϵô£¿
> ß@ÒªÏȆ–£¬ÄãÖªµÀ CTL & DOS µÄº¬Òâ‹ß?
Èç¹ûß@ƒÉ‚€–|Î÷Ä㶼Äܲt½â£¬ÎÒÏëÄ㑪ԓ²»•þ†–ß@†–î}ÁË
7. ËãȱÏÝÐγÉÄܹ«Ê½ÖÐÓÐÒ»¸ödelta VÐÞÕýÏ¼ÆËãÖÐÔõô¾ßÌåÈ·¶¨Õâ¸öÊýÖµ
> ÓÐÔS¶àGROUPŒ¦ß@‚€ÐÞÕýí—Ϻܶ๦·ò
Ò²¾ÍÊÇÕf£¬ÌŽÀíµÄ·½Ê½ÓÐÔS¶à£¬¶à¿´Ð©ÎÄÕ°É
J. Phys. C: Solid State Phys. 18, 973 (1985)
Phys. Rev. B 51, 4014 (1995)
Physica B 340-342, 407-411 (2003)
Phys. Rev. Lett. 102, 016402 (2009)
Phys. Rev. Lett. 110, 095505 (2013)
Phys. Rev. B 89, 195205 (2014)
(ß@Ö»ÊDZùɽµÄÒ»½Çѽ)
8.¹ØÓÚÈçºÎ°Ñ¼ÆËãµÄ(ÀíÏ룬δ²ÎÔÓ)°ëµ¼ÌåµÄCBM VBMÓëvacuum level¶ÔÆë, ÎÒÄÜÏëµ½ÓÐÁ©·½·¨£º
(1). ËãÍê×ÔÇ¢²½£¬OUTCARÀïÃæ¾ÍÓÐvacuum levelµÄÊýÖµ£¬Í¬Ê±¿ÉÒÔÔÚoutcarÀïÃæ¶Á³öÀ´VBM CBMµÄÊýÖµ£¨Gammaµã´¦×î¸ßÌîÂúµÄbandºÍ×îµÍδÌîÂúµÄband£©£¬ºóÕß¼õȥǰÕß¾ÍÊÇVBM¡¢CBMÏà¶ÔÕæ¿ÕÄܼ¶£¨°ÑÕæ¿ÕÄܼ¶ÉèΪ0£©µÄλÖã»
(2).Óù¦º¯Êý¶ÔÆ룬¹¦º¯ÊýÊÇÕæ¿ÕÄܼ¶Óë·ÑÃ×Äܼ¶µÄ²î£¬¶ø¿ÉÒÔÔÚoutcarÀïÃæ¶Á³öÀ´·ÑÃ×Äܼ¶¡¢VBM¡¢CBMÈýÕßµÄÊýÖµ£¬Óù¦º¯Êý×öУ׼£¬¾Í¿ÉÒԵõ½Õæ¿ÕÄܼ¶ÔÚ0eV´¦µÄVBM CBMλÖá£
ÇëÎÊÕâÁ©·½·¨ÓÐʲôÇø±ðô£¿»¹ÊÇ˵ÄÄÒ»ÖÖ¶¼¿ÉÒÔ~
> ÀíÕ“ÉÏ£¬ÔÚ wide-bandgap system Ñe Fermi level ¾ÍÊÇ VBM
Ó‹ËãÉÏ͸ß^”µÖµ·½·¨ÌŽÀí•r£¬Fermi level & VBM ²»•þÍêÈ«ÏàµÈ£¬•þÓÐ΢С²î„e
ß@²î„e»ù±¾ÉÏ¿ÉÒÔ͸ß^ SIGMA È¥Õ{Õû
ËùÒÔ
ÓÃÄÄÒ»‚€·½·¨¶¼›]†–î}£¬Ö»ÒªêUÊöÇå³þ¼´¿É
9. E(formation energy) vs Fermi levelÕâ¸öͼµÄºáÖáºÍ×ÝÖáÔõôÀí½â
> ¿vÝS¾ÍÊÇ Formation energy£¬ß@‘ªÔ“²»ÓýâáŒ
ÄãÉÏÃ憖ß@üN¶à†–î}£¬ÎÒÏë~Ä㌦ defect formation energy ‘ªÔ“ÊÇÓÐÒ»¶¨³Ì¶ÈÁ˽â
¶ø x ÝSµÄ Fermi level
¾ÍÊÇ defect formation energy ¹«Ê½ƒÈµÄÄÇ‚€ Fermi energy term
ß@‚€”µ×ÖÊÇ׃”µ£¬ÊÖ„ÓÈ¥¸Ä׃ Fermi level£¬µÃ³öµÄ defect formation energy ¾Í•þ²»Ò»˜Ó
10. Band edge (±ÈÈçCBM)µ½£¨q/q+1£©µÄÄÜÁ¿²î¾ÍÊǶÔÓ¦µÄ·øÉä·¢¹âµÄ²¨³¤Ã´£¿ºÃÏñÓÐÈËÌÖÂÛ˵(q/q+1)µÄtransition levelÊÇthermodynamic transition level£¬¸úoptical transition levelÊDz»Í¬µÄ¡£µ«ÊÇÒÀÈ»¿´µ½ÓкܶàÈËÖ»ÊÇËãÁË£¨q/q+1£©µÄλÖÃÈ»ºó¾Í¿ªÊ¼ÌÖÂÛ·øÉä·¢¹âÁË£¬ÊÇ·ñºÏÀí£¿
> transition level ÊÇ thermodynamic or optical
‘ªÔ“ÊÇÒªÖøÖØÔÚ£¬ÊÇ·ñÓп¼‘] phonon |
» ±¾ÌûÒÑ»ñµÃµÄºì»¨£¨×îÐÂ10¶ä£©
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