| 查看: 4294 | 回复: 11 | |||
| 【悬赏金币】回答本帖问题，作者蔡山万大鹏将赠送您 100 个金币 | |||
| 当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖 | |||
[求助]
缺陷形成能计算已有4人参与
|
|||
|
重复文献数据练手，计算GaN中Ga单空位形成能。 Ga空位可能有0，-1，-2，-3等价态。 利用公式1（如下计算形成能）。 INCAR如下图所示，此为结构优化步骤。 利用NELECT改变电子数量 ，IDIPOL、EPSILON修正。K取G点1 1 1。POTCAR考虑了d层电子。 错误描述： （1）带电缺陷态，若去掉蓝色的三行命令（NELECT ，IDIPOL ， EPSILON），计算的形成能为负值，但是形成能之间相差过大（5~10eV左右），明显不正确； （2）若加上蓝色三行命令，形成能为正值。 不知道是什么原因导致，是结构优化过程不合理？还是修正命令出错？ 若能指教，不胜感激。  11.jpg  1.jpg  2.jpg  3.jpg |
回复此楼» 收录本帖的淘贴专辑推荐
 缺陷计算 |
» 猜你喜欢
弱关系
已经有9人回复
-
毕业后发文章
已经有3人回复
-
蹲一个6月7号江苏省青基公示
已经有6人回复
-
函评意见：既然你有中科院****人才项目了，就不要申请面上了。
已经有15人回复
-
工作后评职称需要发表论文，想自己写，求帮助
已经有8人回复
-
前些天开会有个人见到人就搞关系，一查此人全是MDPI/Hindawi论文，鄙视!
已经有44人回复
-
等待会评 等待公示
已经有6人回复
-
求大神推荐医学相关的SCI
已经有6人回复
-
一般很空的审稿意见大家一般是怎么回复的
已经有5人回复
-
懂的都来说说看，这是啥情况啊
已经有3人回复
9楼2020-03-12 04:12:00
漫天飘雪
版主 (知名作家)
认真做事，踏实做人
- 1ST强帖: 1
- 应助: 359 (硕士)
- 贵宾: 0.108
- 金币: 20286.9
- 散金: 13021
- 红花: 391
- 沙发: 2
- 帖子: 5739
- 在线: 2255.2小时
- 虫号: 914852
- 注册: 2009-11-27
- 性别: GG
- 专业: 材料物理化学
- 管辖: 第一性原理
【答案】应助回帖
感谢参与，应助指数 +1
|
不太懂缺陷，帮顶。你可以试试一些软件 PyCDT: A Python toolkit for modeling point defects in semiconductors and insulators https://www.sciencedirect.com/sc ... i/S0010465518300079 |
2楼2020-03-04 18:07:05
3楼2020-03-04 18:26:33
4楼2020-03-05 03:42:47
50